三星zHBM共同设计战略
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三星电子宣布其AI内存战略正从“客户定制”转向“共同设计”，并披露了下一代垂直堆叠内存技术zHBM的路线图。DS部门高管金京伦指出，随着GPU架构日益多样化，标准化HBM已无法满足需求，未来内存需与逻辑芯片深度协同设计。zHBM通过将HBM直接堆叠在处理器上方，旨在突破传统2.5D结构的带宽和功耗瓶颈，预计2029年后商用，性能较HBM5提升8倍。这一转型凸显了三星利用其存储、代工及封装一体化能力应对“内存墙”的挑战，但也面临3D堆叠带来的严峻散热难题。
事情怎么走到这一步
三星在美国FMS 2026大会上首次展示zHBM概念模型，宣称其性能约为HBM5的8倍，密度超10倍。
futurumgroup.com ↗在Hot Chips 2026上，三星公布三阶段HBM路线图，明确zHBM将消除互连中介层，实现DRAM直接堆叠在处理器上。
tomshardware.com ↗三星DS部门金京伦在首尔Tech Summit 2026发表演讲，正式确认AI内存业务模式转向“共同设计”，并重申zHBM目标。
etnews.com ↗
还没定论的部分
- zHBM的3D垂直堆叠结构如何解决高功率密度下的散热问题？
- 主要AI芯片厂商（如NVIDIA）对三星提出的“共同设计”模式的接受程度如何？
- zHBM能否在2029年前实现量产良率的经济性平衡？