三星电子宣布AI内存战略转向“共同设计”，披露zHBM垂直堆叠路线图
三星DS部门高管称，为应对GPU架构差异，AI内存将从客户定制转向共同设计，并预计2029年商用的zHBM性能较HBM5提升8倍。
在2026年10月28日于首尔举行的电子新闻科技峰会（Tech Summit 2026）上，韩国三星电子半导体（DS）部门DRAM开发室常务Kim Kyung-yoon表示，公司正在改变其人工智能（AI）内存业务模式，从传统的标准化大规模生产或简单的客户定制，转向与芯片客户进行“共同设计”（Co-design）。这一转变旨在应对不同AI加速器对内存结构和性能的差异化需求。
Kim指出，过去的内存是通用商品，按标准规格批量生产；当前的HBM（高带宽内存）虽已实现客户定制，但未来必须进一步演进为共同设计产品。他强调，由于各客户的GPU架构千差万别，统一的HBM产品无法同时满足所有AI半导体的结合需求。因此，三星计划通过与客户在规划阶段就介入合作，实现“多品种、大批量”的生产体系。
作为这一战略的技术载体，三星详细披露了下一代内存架构zHBM的路线图。zHBM采用将HBM垂直堆叠在GPU之上的三维（3D）结构，区别于目前将HBM放置在GPU旁边的2.5D封装方式。三星预计，相比计划于2028年推出的HBM5，zHBM的性能将提升最高8倍，能效提升3倍，并有望在2029年之后实现商用。
这一声明反映了AI硬件供应链中日益加深的整合趋势。此前有报道称NVIDIA正推动供应商使用台积电工艺制造HBM基础裸片以统一标准，而三星此次提出的“共同设计”策略则显示了内存厂商试图通过深度绑定客户研发流程来维持竞争力的意图。Kim还提到，zHBM时代需要内存、代工和逻辑设计的综合能力，这正是三星相对于其他纯内存公司的优势所在。