据报道三星拟用台积电3nm工艺为英伟达生产HBM基底裸片
首尔经济日报称三星将调整策略，采用台积电工艺制造英伟达定制HBM基底裸片以统一性能标准。
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据首尔经济日报报道，三星电子计划采用台积电的3纳米制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（NVHBM）的核心组件——基底裸片（base die）。在此之前，三星供应的所有HBM产品中，无论是存储数据的核心裸片还是充当系统半导体的基底裸片，均由三星自主生产。这一转变意味着三星将放弃其在HBM领域长期保持的一站式全包制造模式，转而接受英伟达提出的技术要求。
报道称，英伟达已向包括三星、SK海力士和美光在内的三家NVHBM供应商提出要求：使用台积电3纳米工艺制造基底裸片，并统一核心裸片采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代HBM4E架构开发，是英伟达今年8月发布的定制版高带宽内存。英伟达此举旨在解决各家供应商制造方案不同导致的性能不一致问题，通过标准化降低针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。
负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受这一要求。不过，对于面向AMD等其他客户的标准HBM产品，三星仍计划保留一站式全包生产策略。同时，三星也保留了在自家晶圆厂研发和生产NVHBM基底裸片的可能性，作为防止台积电产能不足的预案。目前该消息尚未得到三星或英伟达的官方证实。