英伟达定制HBM基础晶粒委托台积电代工，专家称或筑新护城河
英伟达拟通过NVHBM方案统一三大内存厂制程并委托台积电代工基础晶粒，此举被视为锁定产能、挤压竞争对手获取HBM空间的关键策略。
据韩国《首尔经济日报》报道，英伟达（NVIDIA）正推动其下一代高带宽内存（HBM）定制化方案NVHBM。该方案要求三星电子、SK海力士和美光科技三家主要动态随机存取存储器（DRAM）制造商统一采用当前最先进的第6代制程技术生产DRAM核心颗粒。同时，作为方案的一部分，三星将首次在其HBM制造阶段引入外部晶圆代工伙伴，由台积电（TSMC）使用3纳米制程为英伟达代工生产HBM的基础晶粒（base die）。
半导体行业专家指出，这一安排并非三星主动向台积电下单，而是英伟达直接委托台积电代工，旨在降低不同供应商HBM产品之间的效能差异与验证负担。过去，SK海力士和美光曾与台积电合作生产基础晶粒，而三星多采用自家制程。此次英伟达强制统一制程并指定台积电代工基础晶粒，意在通过标准化控制GPU与DRAM之间的数据流互动效率。
分析认为，在全球AI需求导致内存严重供不应求的背景下，英伟达凭借其在数据中心生态系中的主导地位，能够迫使三大内存厂配合其定制化方案。若NVHBM用量增大，可能会排挤超微（AMD）、英特尔（Intel）以及特殊应用芯片（ASIC）等其他阵营获取HBM产能的空间。这种对上游产能和制造标准的深度绑定，被专家视为英伟达在应对竞争对手进逼时可能构筑的一道新竞争护城河。目前相关细节仍属媒体报道与专家推测，尚未获得英伟达官方的全面技术披露。