阅读研究雷达投资体系AI公司权威资料
登录 / 注册
← 返回阅读
专题DisconfirmAI 编辑部更新于 2026-11-04 11:08

Resonac

4 节点1 篇4 来源

日本半导体材料巨头Resonac(力森诺科)宣布成功开发直径300mm碳化硅(SiC)单晶基板,成为日本首家实现该尺寸突破的企业。尽管业界普遍关注大尺寸晶圆带来的成本优势,但Resonac明确表示,此次研发的核心目的并非立即商业化300mm产品,而是通过攻克极端工艺难度来反哺现有的150mm和200mm主力产品,提升其品质与竞争力。目前SiC功率半导体市场正处于从150mm向200mm过渡的关键期,300mm的大规模量产仍受制于设备兼容性、高昂成本及终端需求规模。面对中国SICC和美国Wolfspeed等竞争对手的类似动作,Resonac采取“按需响应”策略,强调技术储备而非盲目扩张,旨在巩固其在当前主流尺寸市场的领先地位。

事情怎么走到这一步

  1. 2024-09-24

    Resonac与法国Soitec签署协议,共同开发用于SiC功率半导体的200mm键合基板,旨在提高8英寸晶圆生产效率并多元化供应链。

    eu.resonac.com ↗
  2. 2026-09-15

    Resonac发布新闻稿,宣布成功生长并加工出300mm SiC单晶基板,称其为下一代电子材料的重要技术里程碑。

    resonac.com ↗
  3. 2026-09-27

    在International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2026会议上,Resonac首次公开展示其开发的300mm SiC单晶基板。

    eetimes.itmedia.co.jp ↗
  4. 2026-11-04

    EE Times Japan刊发对Resonac开发负责人的访谈,澄清300mm研发旨在通过技术挑战反哺150mm/200mm产品品质,暂无商业化计划。

    eetimes.itmedia.co.jp ↗

还没定论的部分

  • SiC器件制造商何时具备大规模采用300mm生产线的设备兼容性与投资意愿?
  • 随着AI数据中心和电动汽车需求增长,300mm SiC基板的成本阈值将在何时达到商业可行点?
  • Resonac如何将300mm研发中获得的晶体生长控制技术具体转化为现有200mm产品的良率提升数据?

来源

登录 / 注册
阅读研究雷达投资体系AI公司权威资料
resonac.comResonac官方新闻稿:成功开发300mm SiC单晶基板↗
  • eetimes.itmedia.co.jpEE Times Japan:Resonac为何现在开发300mm SiC基板?↗
  • asia.nikkei.comNikkei Asia:日本Resonac开发可产出4倍芯片的大尺寸晶圆↗
  • eu.resonac.comResonac Europe:与Soitec签署200mm SiC键合基板联合开发协议↗
  • 这一专题下的内容

    • 日本材料公司Resonac开发300mm碳化硅基板,目的不是卖大尺寸晶圆2026-11-04资讯

      Resonac开发负责人解释,300mm碳化硅单晶基板研发的核心目标是通过攻克大口径晶体生长的极端难度来反哺现有150mm/200mm产品的品质,而非准备商业化300mm晶圆。访谈同时揭示了SiC衬底从当前尺寸向更大口径过渡的真实约束条件:器件制造商的设备环境、基板成本阈值以及终端需求规模。