美光科技股价反弹4.2%，分析师称长鑫存储竞争担忧被夸大且长期供应协议增强可见性

美国内存芯片制造商美光科技（Micron Technology）的股价在周一交易中上涨4.2%，收于914.4美元，延续了周五2.5%的涨幅。这一反弹发生在投资者重新评估该公司应对中国竞争对手长鑫存储（ChangXin Memory Technologies, CXMT）的策略以及未来供应协议的可见性之后。此前，由于对AI相关投资的广泛怀疑以及对CXMT可能通过新架构抢占市场份额的担忧，美光股价曾从高于1000美元的水平大幅下跌。

Wedbush Securities分析师Matt Bryson指出，市场对CXMT正在开发的“4F平方”（4F2）内存设计的担忧可能被严重夸大。美光已向分析师表示，由于其扩展性和密度限制，该公司拒绝了这种格式，转而支持其首选的三维动态随机存取存储器（DRAM）方法。Bryson认为，如果美光的观点正确，这表明中国正在寻找替代路径以弥补其制造工艺劣势，而非直接构成同等威胁。Bryson维持对美光的“跑赢大盘”评级，目标价为1400美元，基于其2028财年盈利预测的六倍市盈率估值。

与此同时，Bank of America在纽约和波士顿与美光高级管理层会面后，给予美光“买入”评级。讨论显示，美光的供应和产能协议现在延伸至2030年后约五年，并已就2031年展开谈判。这些协议包括对内存位数量和现金支付的承诺。美光预计，这些长期协议目前占总收入的约35%，目标是到2030年将这一比例提高到50%。这种安排为未来需求提供了更大的可见性，尽管并未消除内存芯片行业面临的更广泛风险。

此外，美光概述了涵盖高带宽内存（HBM）、DRAM和NAND技术进步的技术路线图。公司表示能够生产从四层到十六层配置的HBM堆栈。其下一代DRAM节点“1-delta”计划于2027年下半年进入量产，而G11 NAND代际预计到2027年底将接近400层，并提供比G9代际两倍的位容量。这些技术进展与长期供应协议共同构成了投资者评估美光未来增长前景的关键依据。