英飞凌拟投约11亿欧元在奥地利建厂，称其为全球首条300毫米氮化镓量产线

德国芯片制造商英飞凌（Infineon Technologies）于2026年10月27日宣布，将在其位于奥地利的菲拉赫（Villach）基地建立采用300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产设施。英飞凌称这是全球首条此类产线。该计划总投资约11亿欧元，目标在2027年底前开始生产，投资周期延伸至2034年。

据英飞凌称，从200毫米晶圆转向300毫米晶圆可使单片晶圆获得的芯片数量增加2.3倍，从而降低制造成本并提高生产效率。GaN功率半导体因能实现高效率电力转换，在AI数据中心、能源基础设施、电动出行和机器人等领域的需求正在扩大。

该项目已获得欧盟委员会根据《欧洲芯片法案》批准的3.19亿欧元国家援助，奥地利政府的正式补贴决定预计将随后公布。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，公司将借此成为首家实现300毫米氮化镓大规模生产的企业。