英飞凌与Enphase宣布全球首款900V氮化镓双向开关用于AI数据中心固态变压器
英飞凌向Enphase供应全球首款900V GaN双向开关，旨在通过减少转换级数提升AI数据中心电源效率与密度。
德国芯片制造商英飞凌（Infineon Technologies）与美国能源科技公司Enphase Energy于2026年10月26日宣布合作，将全球首款900V氮化镓（GaN）单片双向开关（BDS）导入Enphase面向AI数据中心的IQ固态变压器（SST）电源模块。这一举措标志着GaN技术在高功率电力转换领域进一步挑战传统碳化硅（SiC）的主导地位。
固态变压器被视为新一代电力分配架构的关键组件，其优势在于高效率、高功率密度和可靠性。然而，面对中压输入，传统SST设计通常需要串联多个电力转换单元以分摊电压，这增加了系统损耗和复杂性。英飞凌此次将GaN元件的耐压能力从常见的650V提升至900V，同时保留其高频切换特性，使得Enphase能够在维持低于1kV额定电压的前提下，以更少的串联逆变器处理中压输入。
据英飞凌电源系统事业部总裁Adam White表示，新的900V CoolGaN BDS扩展了客户可从GaN效率和功率密度优势中受益的应用范围，为高性能电力转换系统打开了新可能。Enphase首席技术官Hans van Antwerpen指出，更高的电压余量允许移除系统中的部分转换阶段并减少功率路径中的组件数量，从而转化为更高的效率、功率密度和系统可靠性。
目前，这些900V GaN BDS设备已完成测试，正整合至Enphase的IQ SST开发样机中，后续预计进行量产资格验证。除了AI数据中心，该技术未来也有望应用于商用太阳能逆变器，支持美国480V及其他市场400V的三相供电系统。对于关注AI基础设施供应链的投资者而言，这一进展表明功率半导体厂商正在通过材料创新解决算力扩张带来的能耗与散热瓶颈。