英飞凌宣布投资11亿欧元建设全球首座300毫米氮化镓量产工厂，并向Enphase供应900伏双方向开关用于AI数据中心
英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设世界首座300毫米氮化镓功率半导体量产设施，计划2027年底投产，旨在降低AI数据中心电源成本并提升能效。
德国芯片制造商英飞凌（Infineon Technologies）于2026年10月27日宣布，将在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的基地新建一座采用300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产设施。据该公司称，这是“世界上第一个”此类设施。英飞凌计划到2034年为此投资约11亿欧元，预计生产将于2027年底前开始。此次投资符合欧洲芯片法案（European Chips Act）的支持范围，欧盟委员会已批准3.19亿欧元的国家援助，奥地利政府的正式补贴决定预计随后公布。
转向300毫米晶圆的主要目的是降低成本和提高产能。英飞凌表示，与传统的200毫米晶圆相比，300毫米工艺可将每片晶圆获得的芯片数量增加2.3倍，从而显著降低制造成本。这一举措旨在加速氮化镓技术在更广泛领域的商业化应用，特别是在对效率要求极高的AI数据中心领域。
除了产能扩张，英飞凌还宣布将向美国能源技术公司Enphase Energy供应900伏耐压的氮化镓单片双方向开关（BDS）。该器件被描述为“世界首创”，将集成双向电压阻断和电流导通功能，计划搭载于AI数据中心的固态变压器（SST）中。通过减少电力转换级数和组件数量，这种高电压氮化镓器件有助于实现更高效率和功率密度的电力转换，适应AI服务器机架功耗不断增长的现状。
日本竞争对手瑞萨电子（Renesas Electronics）也在积极布局AI数据中心电源市场。根据EE Times Japan的报道，瑞萨正在开发一种能将800伏直流电直接转换为6伏的20千瓦级电源系统，并已向主要OEM和ODM厂商提供样品。该系统使用650伏耐压的氮化镓器件，目标是在20千瓦输出时实现超过96%的转换效率。尽管瑞萨的效率数据目前基于组件损耗计算的预测值，且实际硬件评估仍在进行中，但这表明日本半导体企业正通过技术创新应对AI基础设施的电力挑战。