中国存储芯片厂商长鑫存储Q3营收暴增613%，美光与闪迪股价因竞争担忧大跌

中国内存芯片制造商长鑫存储（ChangXin Memory Technologies, CXMT）于10月30日公布了其第三季度财务业绩。报告显示，公司营收同比激增613.2%，达到1187.1亿元人民币（约167亿美元），归属于股东的净利润为544亿元人民币（约81.7亿美元），实现了从去年同期的亏损到巨额盈利的逆转。这一数据证实了此前市场关于AI基础设施需求推动存储芯片价格飙升的预期。

长鑫存储将业绩改善归因于供应紧张导致的内存芯片价格上涨、产能扩张以及产品组合向更高价值产品的转变。随着三星电子、SK海力士和美光科技等竞争对手将重心转向高带宽内存（HBM）等高价值产品，长鑫存储在传统DRAM领域的需求中获益颇丰。

该财报的发布对全球存储芯片市场产生了直接冲击。在美股盘前交易中，美光科技（Micron Technology）股价下跌超过6%，闪迪（SanDisk）股价下跌近9.5%。在韩国市场，三星电子下跌3%，SK海力士收盘暴跌7%。投资者正在重新评估在高利润周期下，来自中国的激烈竞争以及潜在供应过剩风险对现有巨头盈利能力的长期影响。

此外，长鑫存储还披露了在新型DRAM单元架构（4F²）上的进展，该技术旨在提高存储密度，并计划于2026年底推出基于此技术的服务器内存产品。尽管该技术尚未实现大规模商业化生产，但其快速财务增长和制造扩张已加剧了行业对传统DRAM市场竞争格局变化的担忧。