据报道英伟达将NVHBM底座芯片统一至台积电3纳米，三星接受部分代工

英伟达正在重新定义AI半导体供应链中谁决定用什么工艺。据报道，英伟达要求三星电子、SK海力士和美光三家供应商在提供新一代定制内存NVHBM时，将HBM堆栈下方负责辅助运算的底座芯片统一交由台积电3纳米工艺制造。这一安排的核心逻辑是标准化：当同一颗GPU需要兼容多家公司的HBM产品时，逐一验证不同底座芯片的接口和功耗特性成本极高，而将底座芯片锁定在同一工艺节点可以大幅减少适配工作量。

三星此前长期将内存到底座芯片的内部一体化作为核心竞争力。据报道，三星在NVHBM产品上接受了台积电代工底座芯片的安排，这对其一贯策略构成显著转变。

不过这并不意味着三星全面改变HBM策略。三星自有HBM4、HBM4E以及面向其他客户的产品仍计划使用三星代工制造底座芯片。

台积电2026年第三季度业绩为这一格局提供了背景。当季营收1.4942万亿新台币，净利润7631亿新台币，同比分别增长约51%和69%，净利润连续第六个季度刷新纪录。

推动业绩的核心是先进制程。去年年底开始量产的2纳米制程已占晶圆营收的8%，3纳米与5纳米合计的先进制程占比达69%。

台积电计划2027年将2纳米系列产能扩大至当前两倍以上。先进芯片从设计阶段即绑定特定制程，一旦选定代工伙伴，后续切换成本极高，因此提前锁定产能意味着将下一代AI芯片留在自身生态内。

代工市场份额方面，据TrendForce数据，2026年第二季度台积电市占率72.5%，三星仅5.9%。三星正通过美国得州泰勒工厂投产和2纳米新订单寻找突破口，去年已拿下特斯拉约165亿美元订单。但AI芯片需求本身快速增长，台积电即便大幅扩产也难以满足所有客户，这为三星等第二供应商留下空间。

更深层的变化在于产业链权力结构。AI加速器从单一芯片演变为庞大系统后，英伟达这类设计企业的影响力已延伸至内存制造方式和代工选择。过去三星和SK海力士各自优化自家HBM即可，如今GPU、内存、逻辑芯片和封装需要在同一设计框架下统筹。

在这一过程中，竞争与合作并存：三星与台积电在代工市场激烈竞争，却在NVHBM供应链中进入同一体系。台积电创纪录业绩的部分原因也在于此——先进制程越是成为AI半导体的通用底层，竞争对手的产品中也会嵌入台积电的制造技术。