传NVIDIA要求三星等统一用台积电3nm制程生产NVHBM基底晶片

据《首尔经济日报》10月18日报道，NVIDIA已向其三大高带宽内存（HBM）供应商——三星电子、SK海力士和美光提出技术要求，统一使用台积电的3纳米制程来生产新一代定制HBM“NVHBM”的逻辑基底晶片（Base Die）。此举旨在确保不同供应商提供的产品在性能上保持一致，并简化NVIDIA的产品验证程序。

报道称，NVIDIA认为若各供应商采用不同的制程节点，可能导致NVHBM出现效能差异，增加集成难度。三星经内部评估后，决定配合这一技术要求。这标志着三星可能首次打破过去由自家晶圆代工部门包办HBM基底晶片生产的垂直整合模式，转而向竞争对手台积电寻求代工服务。

NVHBM是NVIDIA今年8月发布的基于HBM4E架构的定制内存，其控制器和接口规格由NVIDIA自行定义。除了NVHBM，三星供应给AMD等其他客户的定制HBM仍将维持自家制造模式。此外，三星也在评估利用自家制程生产NVHBM基底晶片的可行性，以应对未来台积电产能不足的风险。